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運(yùn)用：醫(yī)療設(shè)備光學(xué)平臺

• 吸附硅片后平面度≤5um 

• 升溫時(shí)間:20℃到55℃時(shí)間≤30s 

• 降溫時(shí)間:55℃到 20℃時(shí)間≤55s 

• 吸附芯片后數(shù)字壓力表讀數(shù)升降溫過程<-85Kpa

• 未吸附芯片數(shù)字壓力表讀數(shù)>-10Kpa